Разгон DDR-памяти
Экстремальный разгон DDR-памяти
На сегодняшний день память DDR400 (400 МГц), которую нередко обозначают еще как PC3200 (старые «модели»: DDR266 — PC2100, DDR333 — PC2700), является самой ходовой на компьютерном рынке. Если у вас не новая материнка, которая не сможет запустить ее на максимальной частоте 400 МГц, все равно получите выгоду, увеличив производительность системы. Если же мамка на новом чипсете и спокойно держит высокие частоты, имеет смысл приобрести специальные модули для оверклокинга, которые превышают спецификации стандарта DDR400 и обеспечивают высокую производительность и низкие задержки. Обозначаются они как PC3500, PC3700 и PC4000 (работает на 500 МГц).
Производители – компании Transcend, Corsair, Geil, Kingston, Mushkin и другие (это бренды).
Двухканальность и частоты памяти
Память DDR демонстрирует свою максимальную производительность на двухканальных материнских платах, пример на базе чипсета nVidia nForce2 (для процессоров AMD) и Intel 865, 875, 7205 (для процессоров Intel).
На таких материнках пропускная способность двух модулей DDR складывается. Только для работы в двухканальном режиме необходимо установить именно два модуля памяти. Во избежание недоразумений некоторые производители начали продавать модули оперативки парами, специально для таких двухканальных систем.
С целью получения большей производительности попробуйте увеличить частоту памяти (сначала с небольшим интервалом) одновременно с частотой FSB. В BIOS’e это может выглядеть как изменение отношения частоты шины памяти к частоте шины. Например, 3/3 означает DDR333 и шину FSB на 333 МГц, а 4/3 — DDR400 и шину FSB на 333 МГц соответственно. И не стоит забывать о возможности увеличить тактовые частоты с DDR333 на уровень DDR400, некоторые модули памяти позволяют совершить такой маневр, и вы обладатель именно такой оперативки.
Устранить долгие задержки
Чтобы добиться лучшего результата в оверклокинге, следует оптимизировать задержки памяти, так как BIOS часто затормаживает их для увеличения стабильности системы. Именно задержки оперативы определяют скорость, с которой будет осуществляться доступ к памяти. Шина данных станет работать по максимуму в том случае, если данные считываются из чипов памяти, которые должны их выдавать, не прерываясь. Именно поэтому брэндовая оперативка DDR333 с низкими задержками будет работать быстрее, чем DDR400, в которой низкие задержки были принесены в жертву высокой тактовой частоте.
Подсистема памяти – одно из самых узких мест ПК, и ее разгон может существенно увеличить производительность.
Производители пошли на встречу, дали рычаги управления всеми подсистемами компьютера, но как пользоваться ими – не объяснили.
Подавляющее большинство настроек не описано в прилагаемой документации, или написано кратко. Информация из интернета недостоверна и противоречива.
Быстродействие памяти определяется интенсивностью ее использования. Приложения, обрабатывающие свои данные локально (в процессорном кэше) и практически никогда не обращающиеся к основной памяти, совершенно безразличны к ее разгону.
Реально в разгоне памяти нуждаются лишь приложения, обрабатывающие порции данных от 256 Кб и выше (программы видеомонтажа, графические редакторы, игры и т.п.). Чем выше степень загрузки памяти, тем больший выигрыш дает разгон.
Подготовка к разгону
Для разгона лучше всего подходят материнские платы с большим количеством тонких настроек на борту.
Конкретный перечень определяется возможностями чипсета, с одной стороны, и гибкостью прошивки BIOS – с другой. Существует множество прошивок и утилит, открывающих доступ ко всем настройкам контроллера памяти, которые только поддерживает чипсет. Но прибегать к их помощи нежелательно, так как они приводят к серьезным проблемам (аппаратным поломкам в том числе). Лучше изначально приобретайте плату с расширенными настройками, их список можно найти в документации или посмотреть в BIOS Setup.
Разгон памяти неизбежно затрагивает и серверный мост чипсета, поэтому нужно позаботиться о его охлаждении, усилить радиатор или пристроить кулер. То же самое относится к модулям памяти. Находясь в непосредственной близости от процессора, они очень сильно греются (особенно если попадают под поток горячего воздуха с вентилятора).
Для достижения стабильной работы разогнанной памяти рекомендуется увеличить питающее напряжение (3.3V) и поменять режим управления (Drive Control) с Normal на Strong. Делать это нужно только при надлежащем охлаждении, в противном случае память перегреется и быстро выйдет из строя.
Базовые настройки
Для перехода на ручное управление в меню BIOS необходимо найти пункт «Auto Configuration» или «SPD» и переключить его на «Manual». SPD это «Serial Presence Detect» и представляет собой крошечную микросхему, хранящую основные характеристики и тайминги DIMM-модуля, гарантируемые производителем.
CL
Величина CL (CAS# Latency) задает количество тактов между отправкой DDR-микросхеме команды чтения (не записи!) и сбросом первой порции данных на шину. При этом DRAM-страница должна быть заблаговременно открыта, за что отвечает тайминг tRCD. При последовательном чтении ячеек величина CL не играет никакой роли. Его продолжительность даже при благоприятном стечении обстоятельств составляет 10 –20 тактов, поэтому сокращения CAS# Latency на один такт в лучшем случае увеличивает производительность приблизительно на 10%.
CAS# Latency хорошо разгоняется, поскольку управляет не тормозным массивом конденсаторов, а быстрым буфером статической памяти и его логикой.
В большинстве случаев CAS# Latency составляет 2.0 или 2.5 тактов. Уменьшать ее до 1.5 не рекомендуется.
tRCD
Величина tRCD (RAS# to CAS# Delay или Active to CMD) определяет время открытия DRAM-страницы, в процессе которого со строки конденсаторов считывается заряд и заносится в буфер статической памяти, локально обрабатывающий все последующие обращения. Средняя длина страницы составляет 2 Кб, ширина пакетного цикла обмена – 32 или 64 байт. При последовательном чтении ячеек открытия новых страниц происходят на каждом 32, 64 цикле, а при перекрестном чередовании банков еще реже.
Уменьшать величину tRCD категорически не рекомендуется. Реального выигрыша производительности это не даст (полный пакетный цикл занимает порядка 30 тактов, и сокращение RAS# to CAS# Latency на один такт увеличивает быстродействие всего лишь на ~3%).
С разгоном tRCD надежность микросхемы катастрофически падает, и существенно увеличивается ее нагрев. Надо увеличивать RAS# to CAS# Latency, параллельно с этим наращивая тактовую частоту. В результате, получается наибольший прирост производительности.
tRP
Величина tRP (RAS# Precharge Delay, Precharge to active) определяет время закрытия DRAM-страницы, в процессе которого происходят возврат данных в банк памяти и его перезарядка. Во время перезарядки этот банк недоступен, но доступны все остальные банки (большинство DDR-модулей содержит четыре банка).
Банк закрывается на перезарядку всякий раз, когда происходит обращение к другой странице из этого же самого банка. При последовательном чтении/записи ячеек значение tRP никак не влияет на производительность.
При хаотичном чтении RAS# Precharge снижает быстродействие системы только тогда, когда все запросы оказываются сосредоточены в пределах одного банка, что при правильно выбранном чередовании практически никогда не случается.
Если микросхемы памяти поддерживают режим Auto Precharge и контроллер об этом «знает», то перезаряд начинается сразу же после того, как будет прочитана последняя ячейка DRAM-страницы, в результате чего производительность системы немного возрастает.Недостаточно продолжительное время перезарядки приводит к потере оперативных данных и, как следствие, к нестабильной работе компьютера.
Рекомендуется выбрать максимальное значение тайминга из всех предлагаемых BIOS’ом, особенно если тактовая частота памяти разогнана сверх номинального.
tRAS
Величина tRAS (DRAM Precharge Delay, Active to Precharge Delay, Precharge Wait State, Row Active Delay, Row Precharge Delay) устанавливает минимальный промежуток времени между открытием/закрытием одной DRAM-страницы.
Реальное время хаотичного доступа к одному банку памяти без учета латентности процессора и чипсета:
tRC = tRAS + tRP.
Если микросхема памяти поддерживает tRAS Lockout feature (режим обхода tRAS; большинство микросхем его поддерживает), то при переключении между DRAM-страницами величина tRAS игнорируется и вместо нее берется tRCD. Если же режим обхода tRAS не поддерживается, уменьшение Precharge Delay ускоряет хаотичный доступ (злоупотреблять этим не следует).
Лучше изменить чередование банков – производительность возрастет и стабильность не пострадает.
Не все BIOS’ы обеспечивают возможность тонкой настройки памяти.
За несколько дополнительных процентов производительности приходитсярасплачиваться нестабильной работой системы, частыми зависаниями иперезагрузками, которые съедают кило нервов, вот и весь выигрыш отразгона.(шутка)
Но, разгонять оперативную память не только можно, но и нужно.
Интенсивность использования памяти можно определить утилитой CPUMon от Марка Руссиновича, бесплатную версию можно скачать с сервера www.sysinternals.com.
Пользоваться ей просто.
В меню «Class» выбираешь «Bus» (шина), в окне «Counter» – «BUS_TRAN_MEM» (количество транзакций памяти). Теперь запускаем тестовое приложение и нажимаем «Start». Спустя некоторое временя (в течение которого утилита будет накапливать статистические данные), нажимаешь «Stop» и в появившемся диалоговом окне смотрим на строку «BUS_TRAN_MEM». Чем больше происходит обращений в единицу времени, тем целесообразнее разгон.
Не все модули памяти разгоняются одинаково. Некоторые производители (Kingston Technology, IBM, Samsung) обеспечивают запас прочности, и модули уверенно работают даже на ускоренных таймингах и повышенных тактовых частотах.
По всем вопросам копать в спецификации на оперативную память,электронную версию которой можно скачать с сервера организации JEDEC(www.jedec.org/DOWNLOAD/search/JESD79D.pdf).
Мой блог находят по следующим фразам